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美光此前的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集(HMC)DRAM 类型上,但该类型的 DRAM 并没有获得太多客户的青睐,因此没有获得足够的支持。  据悉,美光将会在今年的某个时候发布搭载 HBM2 DRAM 的产品。在其最新财报中,披露了旗下第二代高带宽存储器(HBM2)即将开始出货。由于价格相对高昂,HBM2 主要应用于高性能显卡、服务器处理器以及高端处理器中。

虽然美光有点姗姗来迟,但是随着美光即将出货 HBM2 显存,存储器市场将再次形成三雄鼎立的局面。

原标题:美光HBM2 DRAM即将出货,存储器市场再现三雄鼎立?

根据标准大发好运pk10官网,第二代高带宽存储器(HBM2)指定每个堆栈 8 个裸晶及每针传输速度上至 2 GT/s 的标准。为保持 1024 bit 的访问,第二代高带宽存储器得以在每个封装中达到 256GB/s 的内存带宽及最高 8GB 容量。业界预测第二代高带宽存储器对极其需要性能的应用程序,如虚拟现实,至关重要。

三星半导体早在 2016 年 1 月 19 日就宣布第二代高带宽存储器的进入早期量产阶段,每个堆栈均拥有 8GB 的内存;SK 海力士随即宣布在 2016 年 8 月发布 4GB 版本的内存。

美光宣布将在 2018 年暂停 HMC 的工作,并决定致力于 GDDR6 和 HBM 的开发。因此他们将会在今年的某个时候发布搭载 HBM2 DRAM 的产品。

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